Dokumentation
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Hochreiner Graphit für die Halbleiter- und Photovoltaikindusrie, gesteuert durch das ETV-ICP-OES-Verfahren
Hochreiner Graphit
Mersen hat Prozesse für die erhebliche Verbesserung der physikalisch-chemischen Eigenschaften von Materialien entwickelt, insbesondere Materialien für High-Tech-Anwendungen mit hoher Belastung:
Halbleiter- und Photovoltaikindustrie
Reinheitsvorgaben
Sauberkeitsvorgaben
Beständigkeit gegen Reagenzien in Plasmaprozessen
Beständigkeit gegen Wasserstoff über 900 °C, MOCVD-Reagenzien und starke Säuren (HCl, HF)
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Les contraintes technologiques des industries du semiconducteur et du solaire
- Durch unsere Reinigungsprozesse erzielen wir äußerst geringe Verunreinigungsgrade bis unter 5 ppm.
- Das ETV-ICP-Verfahren dient der Erkennung und Überwachung von Verunreinigungen bis unter 5 ppb
- Zur Reduzierung der Partikelemissionen und der Ausgasung von Materialien im Vakuum wurde die Glaskohlenstoffimprägnierung (Vitreous Carbon Impregnation – VCI) entwickelt, insbesondere für Halbleiteranwendungen.
- Die Produkte von Mersen können mit einer dünnen Schicht aus pyrolithischem Kohlenstoff beschichtet werden. Dadurch verringert sich die Durchlässigkeit des Materials für reaktive Produkte auf ein Minimum, insbesondere bei Halbleiteranwendungen.
- Um die Beständigkeit gegen Prozessreagenzien noch weiter zu erhöhen, bietet Mersen zur Verringerung der Porosität eine Kernimprägnierung mit Harz an.
Mersen beherrscht die Abscheidung dünner Siliziumkarbidschichten, die einen unübertroffenen Schutz für Graphitprodukte in besonders rauen Umgebungen bilden.
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Documentation produits
Technische Dokumentation
07/03/2017
