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Werkzeuge aus hochreinem Epitaxy und MOCVD
Für die Abscheidung dünner Schichten, beispielsweise durch Epitaxie oder metallorganische Abscheidung aus der Gasphase (MOCVD) liefert Mersen ultrareine Graphitprodukte als Halter für die Substrate oder „Wafer“.
Im Zentrum des Prozesses sind diese Anlagen, Suszeptoren für die Epitaxie oder Satellitenplattformen für MOCVD den Anforderungen der Abscheidungsumgebung ausgesetzt:
- Hochtemperatur
- Hochvakuum
- Aggressive, gasförmige Vorläufersubstanzen
- Kontaminationsfreiheit, kein Abschälen
- Beständigkeit gegen starke Säuren während der Reinigung
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Ionenimplantation
Die Technik der Ionenimplantation dient in der Halbleiterindustrie dazu, die Zusammensetzung und physikalischen Eigenschaften eines Substrats lokal zu verändern. Dazu werden Dotierstoffe wie Bor, Phosphor und Arsen „eingeschossen“.
Die Elektroden und Schutzschilde aus Graphit an diesen Maschinen sind durch den Ionenbeschuss erheblicher Erosion ausgesetzt.
- Der feinkörnige und hochdichte ultrareine Graphit ist sehr beständig gegen Erosion.
- Mersen hat auch eine Glaskohlenstoffimprägnierung „VCI“ entwickelt, um die Festigkeit dieser Teile weiter zu erhöhen und gleichzeitig die Partikelemissionen zu verringern.
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Hochreiner Graphit mit Siliziumkarbidbeschichtung
Mersen bietet Geräteteile aus hochreinem, mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit.
Diese speziellen Lösungen sind das Resultat unserer Werkstoffexpertise und unserer Erfahrung in der Präzisionsbearbeitung:
- Reinstgraphit, überprüft mittels ETV-ICP-OES.
- Die Graphitsorten, die speziell von uns entwickelt wurden um zum CTE unserer Siliziumkarbidbeschichtung zu passen garantieren die langfristige Integrität der Schutzschicht.
- Unsere Präzisionsbearbeitung wird dreidimensional geprüft, um das Design von hochkomplexen Teilen sicherzustellen.
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Halbleiter-Prozessanlagen
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Documentation produits
Technische Dokumentation
07/03/2017
Technische Dokumentation
07/01/2017
Carbon & graphite for the PV industrypdf - 1.34 MB
Technische Dokumentation
07/03/2017
Purified graphite silicon carbide graphite enhancementpdf - 2.09 MB
Dokumentation
