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Hochreiner Graphit für CZ-Kristallziehanlagen und DSS-Öfen
Mersen bietet nachhaltige und effiziente Lösungen, die die Reinheit der Wafer und die Kontrolle der Heißzonen bei der Kristallisierung garantieren.
Mersen bietet außerdem Anlagen und Teile, die den strengen Vorgaben dieser Industrie entsprechen.
- Schmelztiegel aus gereinigtem Graphit
- Heizung aus gereinigtem Graphit
- Zylindrische Wärmedämmung aus Graphit oder Kohlefaserverbundstoff
- Isolation aus flexiblem Filz oder steifen Kohlefaserverbundstoff für einen kontrollierten Temperaturgradienten beim Kristallziehen.
- Schrauben aus Kohle/Kohlefaserverbundstoff
- Graphitwärmetauscher
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Ziehen von Einkristallen (Czochralski-Verfahren - CZ)
Dieses Kristallierungsverfahren für Silizium bei über 1.425 °C dient zur Herstellung großer zylindrischer Einkristallbarren (Ingots) und erfordert eine hochpräzise Steuerung des Temperaturgradienten im Ofen.
Diese Siliziumbarren werden dann mit einer Drahtsäge in Scheiben („Wafer“) geschnitten und in der Mikroelektronik- und Photovoltaikindustrie weiterverarbeitet.
Mersen liefert folgende Elemente:
- Schmelztiegel aus gereinigtem Graphit
- Heizelemente aus gereinigtem Graphit
- Steife Isolationsplatte für die Heißzone
- Hitzeschilde aus Graphit und Kohlefaserverbundstoff
- Ofenisolation
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Systeme für die gerichtete Erstarrung (Directional Solidification Systems – DSS)
Die Kühlung des Siliziumschmelzebads wird so gesteuert, dass die Erstarrung des Siliziumbarrens innerhalb eines sehr breiten Kristallisationsbereichs erfolgt.
Diese Siliziumbarren werden dann mit einer Drahtsäge in Scheiben („Wafer“) geschnitten und vorrangig in der Mikroelektronik- und Photovoltaikindustrie weiterverarbeitet.
Mersen liefert folgende Elemente:
- Heizelemente aus gereinigtem Graphit
- Steife Isolationsplatte aus Kohlefaserverbundstoff für die Heißzone
- Befestigungselemente aus Verbundstoff
- Platten aus Verbundstoff
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Documentation produits
Technische Dokumentation
07/03/2017
Technische Dokumentation
07/01/2017
Carbon & graphite for the PV industrypdf - 1.34 MB
Technische Dokumentation
07/03/2017
Purified graphite silicon carbide graphite enhancementpdf - 2.09 MB
Dokumentation
